Расчет и конструирование АМ передатчика
Главной целью данного курсового проекта является разработка АМ передатчика мощностью 30 Вт, с рабочей волной l=9 м (f=33.3 МГц). В связи с небольшой выходной мощностью передатчик реализован на транзисторах.
2. Разработка структурной схемы передатчика
Структурная схема АМ передатчика с базовой модуляцией состоит из следующих блоков: автогенератор (АГ) на частоту 16.67 МГц, эмиттерный повторитель (ЭП) для развязки АГ и умножителя частоты сигнала на (У), усилитель мощности колебаний (УМК), модулируемый каскад (МК) и колебательные системы: для согласования У и УМК КС1, УМК и МК – КС2, МК и фидера – выходная колебательная система.
Модуляция осуществляется в оконечном каскаде (ОК). Достоинством базовой модуляции является малые амплитуда напряжения и мощность модулятора, т.к. модуляция достигается путем изменения смещения на базе МК, что приводит к изменению угла отсечки и выходного тока в соответствии с НЧ модулирующим сигналом.
Число каскадов усиления мощности можно примерно определить по формуле N=ln Кs/ln K1=ln 3300/ln 20=3, где Ks=PАЧ(1+m)2/PвыхЭП= 30Ч(1+0.8)2/ /0.03=3300 – суммарный коэффициент усиления по мощности, K1=20 – средний коэффициент усиления по мощности одного каскада с учетом потерь в колебательных системах.
Структурная схема передатчика разработана при использовании [1,2] и приведена на РТФ КП.775277.001 Э1.
3. Расчёт оконечного каскада
Модуляцию смещением будем проводить в оконечном каскаде(ОК) передатчика.
В ТЗ задана мощность передатчика в антенне в режиме несущей PA=1 Вт, рассчитаем максимальную мощность первой гармоники непосредственно на выходе оконечного каскада P1max:
Pmax=PAЧ(1+m)2/(hфЧhк)=4.96 Вт. (3.1)
где: hф=0.85 - КПД фидера;
hк=0.95 – КПД выходной колебательной системы (ВКС);
m = 1 – максимальный коэффициент модуляции.
Выбор транзистора ОК производим по следующим определяющим факторам:
выходная мощность транзистора Pвых і P1max;
частота, на которой модуль коэффициента передачи транзистора по току в схеме с ОЭ равен 1, fт=(3ё5)Чf=82.5ё137.5 МГц, где f=27.5 МГц, несущая частота передатчика.
В соответствии с вышеперечисленными требованиями выбираем в качестве активного элемента (АЭ) ОК транзистор КТ940Б с параметрами:
выходная мощность Pвых=5 > 4.95 Вт;
сопротивление насыщения rнас=20 Ом;
максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер Uкэимп=36 В;
максимальный постоянный ток коллектора Iкодоп=1 А;
напряжение источника коллекторного питания Е`к=12 В;
средний статический коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ bo=40;
ёмкость коллекторного перехода Ск=75 пФ;
ёмкость эмиттерного перехода Сэ=410 пФ;
индуктивности выводов Lб=2.4 нГн, Lэ=1.2 нГн;
сопротивление материала базы rб=1 Ом.
Произведём расчёт коллекторной цепи транзистора. Расчёт будем производить, исходя из максимальной мощности в критическом режиме Pmax.
По заданному в ТЗ источником выступает аккумулятор с напряжением 12 В, соответственно напряжение на коллекторе составит Ек=12 В, и максимальный угол отсечки qmax=120°, соответствующий коэффициенту модуляции m=0.8.
Рассчитываем амплитуду первой гармоники напряжения Uк1 на коллекторе:
Максимальное напряжение на коллекторе:
Uк.макс=Ек+1.2ЧUк1кр=24.7 ВЈUк.доп=36 В. (3.3)
Амплитуда первой гармоники коллекторного тока:
Iк1=2ЧP1max/Uк1кр=0.76 А. (3.4)
Постоянная составляющая коллекторного тока:
0.57 АЈ Iкодоп=20 А. (3.5)
Максимальный коллекторный ток:
Iк.макс=Iко/ao(q)=17.1Ј Iкодоп=30 А. (3.6)
Максимальная мощность, потребляемая от источника коллекторного питания:
Pоmax=EкЧIко=194 Вт. (3.7)
КПД коллекторной цепи при номинальной нагрузке:
Максимальная рассеиваемая мощность на коллекторе транзистора:
Pк.max=Pоmax-P1max=73.7 Вт. (3.9)
Значение Pк.max является исходным параметром для расчёта температуры в структуре транзистора и системы его охлаждения.
Номинальное сопротивление коллекторной нагрузки:
Rэк.ном=Uк1кр/(2ЧP1max)=13.1 Ом. (3.10)
Произведём расчёт входной цепи транзистора.
Предполагается, что между базовым и эмиттерными выводами по РЧ включен резистор Rд, требуемый для устранения перекосов в импульсах коллекторного тока (см.рис.3.1).
Рисунок 3.1 – Включение резистора Rд
Rд=bo/(2ЧpЧfтЧCэ)=45 Ом. (3.11)
На частотах f>3Чfт/bо (33.3 МГц>13.3 МГц) в реальной схеме генератора Rд можно не ставить, однако, в последующих расчётах необходимо оставлять.
Амплитуда тока базы:
Постоянные составляющие базового и эмиттерного токов:
Iбо=Iко/bо=0.154 А; (3.14)
Iэо=Iко+Iбо=7.1 А. (3.15)
Напряжение смещения на эмиттерном переходе:
где Еотс – напряжение отсечки, равное для кремниевых транзисторов 0.5ё0.7 В.
Рисунок 3.2 – Эквивалентная схема входного сопротивления транзистора
Определяем значения LвхОЭ, rвхОЭ, RвхОЭ, CвхОЭ в эквивалентной схеме входного сопротивления транзистора (см.рис.3.2), принимая барьерную ёмкость активной части коллекторного перехода Ск.а=0.25ЧСк:
LвхОЭ=Lб+Lэ/c=2.9 нГн; (3.18)
RвхОЭ= Ч[rб+(1+g1(q)Чbо)Чrэ]-rвхОЭ+RдЧ[1-g1(q)]=8.7 Ом; (3.20)
СвхОЭ=bо/(2ЧpЧfтЧRвхОЭ)=4.1 нФ. (3.21)
Резистивная и реактивная составляющие входного сопротивления транзистора:
rвх=rвхОЭ+ =1.184 Ом; (3.22)
Xвх=2ЧpЧfЧLвхОЭ- =-0.532 Ом. (3.23)
Рисунок 3.3 - Эквивалентные входные сопротивление и ёмкость транзистора
Эквивалентные входные сопротивление и ёмкость транзистора (см.рис.3.3):
Rвхэк=rвх+(Xвх/rвх)2=1.424 Ом; (3.24)
Свхэк= =1.508 нФ. (3.25)
Рисунок 3.4 - Эквивалентные выходные сопротивление и ёмкость транзистора
Для получения эквивалентной выходной ёмкости транзистора (см.рис.3.4) произведём расчёт ряда вспомогательных параметров:
Эквивалентная выходная ёмкость транзистора:
Свыхэк=СкЧ(1+0.4ЧM/m2)=390 пФ. (3.30)
Формулы (3.27)-(3.31) взяты из [3].
Pвх=0.5ЧIб2Чrвх=8.81 Вт. (3.31)
Коэффициент усиления по мощности:
Расчёт выходной и входной цепи транзистора (формулы (3.2)-(3.25), (3.31)-(3.32)) произведён согласно [1].
В результате расчёта каскада на максимальную мощность становятся известными следующие параметры: Iк1m=9.156 A, Iкоm=6.93 A, Iбоm=0.154 A, Ебm=2.37 В, Umб= =2.54 В.
При базовой модуляции СМХ есть зависимость Iк1=f(Еб) при (Umб, Ебm, Rэк.ном)=const.
Для грубой оценки положения СМХ можно принять ее линейной и построить по двум точкам: точке максимального режима Iк1=Iк1m, Eб=Ебm и точке запирания каскада Iк1=0, Еб=Ебзап, где Ебзап=Еотс-Umб=-1.84 В.
Упрощенная СМХ приведена на рис.3.5.
Рисунок 3.5 – Статическая модуляционная характеристика
Рассчитаем ряд параметров:
Минимальное модулирующее напряжение:
Амплитуда ВЧ составляющей в режиме несущей:
Получили Umin=-1.37 В, Uo=0.5 В. Рассчитаем угол отсечки в режиме несущей: qн=arccos((Еотс-Uo)/Umб)=85.5°. Рассчитаем ток постоянной составляющей базы в режиме несущей и амплитуду тока НЧ сигнала:
Получили Iбон=0.067 А, IW=0.087 А. Рассчитаем амплитуду напряжения НЧ сигнала на базе UW=Eбm-Uo=1.87 В и требуемую мощность модулятора PW=IWЧUW=0.082 Вт.
Произведём расчёт цепей питания для схемы ОК, приведённой на рис.3.6, для режима несущей по формулам (Есм=3 В):
В результате получим Iдел=0.33 А, R1=6.2 Ом, R2=1.5 Ом.
Мощность, рассеиваемая на резисторах:
Pr1=(Iдел+Iбо)2ЧR1=1 Вт; (3.34)
Pr2=Iдел2ЧR2=0.17 Вт. (3.35)
Рисунок 3.6 – Схема оконечного (модулируемого) каскада
Модуль входного сопротивления транзистора:
Рассчитываем номиналы блокировочных индуктивностей:
Lбл1і20Ч|Zвх|/(2ЧpЧf)=0.13 нГн; (3.37)
Lбл2і20ЧRэкном/(2ЧpЧf)=0.28 нГн. (3.38)
Рассчитываем номинал разделительного конденсатора:
Ср1і20/(2ЧpЧfЧ|Zвх|)=73 нФ. (3.39)
По методике, изложенной в [3], произведём расчёт ВКС. Т.к. передатчик является неперестраиваемым, то целесообразно использовать в качестве ВКС, назначение которой – фильтрация высших гармоник и согласование транзистора с нагрузкой, простейший П-образный контур (см.рис.3.7).
На частоте сигнала f входное сопротивление П-контура должно быть чисто активным и равным требуемому сопротивлению нагрузки транзистора Rэк. Таким образом, П – контур на частоте сигнала трансформирует активное сопротивление нагрузки Rн в активное входное сопротивление Rэк.
Рисунок 3.7 – Схема П-образного контура
Порядок расчёта П-контура следующий:
Задаемся величиной волнового сопротивления контура в пределах r=250ё500 Ом: r=250 Ом.
Определяем индуктивность контура L0:
L0=r/(2ЧpЧf)=1.194 мкГн. (3.40)
На частоте сигнала f П-контур сводится к виду, изображённому на рис.3.8, причём L, L0, C0 находятся в соотношении:
Рисунок 3.8 – Схема приведённого П-образного контура
Величиной L необходимо задаться в соответствии с формулой:
L> /(2ЧpЧf)=0.122 мкГн, (3.41)
где Rн=50 Ом – стандартное сопротивление фидера, соединяющего ВКС с антенной. Выбираем L=0.5 мкГн.
С0=1/(4Чp2Чf2Ч(L0-L))= 33 пФ. (3.42)
Определяем С1 и С2:
Внесённое в контур сопротивление:
rвн=Rн/(1+(2ЧpЧfЧRнЧС2)2)=16.1 Ом. (3.45)
Добротность нагруженного контура:
где ro – собственное сопротивление потерь контурной индуктивности, величина которой точно определяется ниже, на данном этапе принимаем ro=1 Ом.
Коэффициент фильтрации П-контура (только для ОК), принимая n=2, т.к. схема ОК однотактная:
Произведём конструктивный расчёт элементов нагрузочной системы (см.рис.3.7). При этом необходимо выбрать номинальные значения стандартных деталей (С0, C1, C2), входящих в контур, и определить конструктивные размеры нестандартных деталей (L0).
Для настройки контура в резонанс и обеспечения оптимальной связи с нагрузкой в состав ёмкостей С0 и С2 целесообразно включить подстроечные конденсаторы (см.рис.3.9).
Рисунок 3.9 – Схема П-образного контура с подстроечными элементами
Расчёт контурной катушки L0 проводится в следующем порядке:
Размеры катушки показаны на рис.3.10.
Задаёмся отношением V=l/D в пределах 0.5ЈVЈ2: V=2.
Задаёмся значением Ks=0.5 Вт/см2 – удельной тепловой нагрузки на 1 см2 сечения катушки.
Определяем площадь продольного сечения катушки S=lЧD по формуле:
S=P1номЧhк/Ks=12.04 см2. (3.48)
Рисунок 3.10 – Конструкция контурной катушки
Определяем длину l и диаметр D катушки по формулам:
Число витков N катушки:
Амплитуда контурного тока:
Iк=Uк1крЧ2ЧpЧfЧC1=2.2 А. (3.52)
Диаметр d провода катушки вычисляем по формуле:
d[мм]і0.18ЧIкЧ =0.95 мм. (3.53)
Собственное сопротивление потерь контурной катушки на рабочей частоте:
ro=0.525ЧD[мм]ЧNЧ Ч10-3/d[мм]=0.81 Ом. (3.54)
Коэффициент полезного действия контура:
4. Расчёт предоконечного каскада
Рассчитаем мощность первой гармоники коллекторного тока, принимая hк=0.7:
где PвыхКС – мощность на выходе колебательной системы (КС) данного каскада.
В соответствии с требованиями, изложенными в п.3, выбираем транзистор 2Т955А со следующими параметрами:
выходная мощность Pвыхі20 Вт;
сопротивление насыщения rнас=1.9 Ом;
максимальное импульсное напряжение коллектор-эмиттер Uкэ=70 В;
максимальный постоянный ток коллектора Iкодоп=6 А;
напряжение источника коллекторного питания Е`к=28 В;
средний статический коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ bo=80;
эквивалентная ёмкость база-коллектор Ск=60 пФ;
барьерная ёмкость Сэ=240 пФ;
индуктивности выводов Lб=2.4 нГн, Lэ=2 нГн;
сопротивление материала базы rб=0.5 Ом.
Проведя расчёт коллекторной цепи по формулам (3.2)-(3.10), получим следующие параметры (Ек=28 В, q=90°):
Uк1кр=24.02 В; Uк.макс.=56.8 В<Uк.доп=70 В; Iк1=1.05 А;
Iко=0.67 А<Iкодоп=6 А; Iк.макс=2.1 А< Iкодоп=6 А;
Pоном=18.7 Вт; h=0.674; Pк.макс=6.1 Вт; Rэк.ном=22.9 Ом.
Проведя расчёт входной цепи по формулам (3.11)-(3.32), получим следующие параметры:
Rд=212 Ом; c=2.08; Iб=0.447 А; Iбо=8.3 мА; Iэо=0.676 А;
rэ=0.53 Ом; Еб= -2.97 В; rвх=2.08 Ом, Хвх= -9.36 Ом; Rвхэк=44.2 Ом;
Свхэк=486 пФ; Свыхэк=142 пФ; Pвх=0.354 Вт; Кр=35.6.
Данные для расчёта КС: Rэк.ном=22.9 Ом, Свыхэк=142 пФ, СвхОК=1510 пФ, RвхОК=1.42 Ом, где последние 2 параметра – соответственно входные ёмкость и сопротивление оконечного каскада.
Задаёмся величиной r=250 Ом. По формулам (3.40)-(3.44) определяем следующие параметры:
L0=1.194 мкГн; L>0.027 мкГн, выбираем L=0.5 мГн; С0=33 пФ;
С1=254 пФ; С2=3400 пФ.
Схема предоконечного каскада аналогична схеме ОК и приведена на рис.4.1.
Рисунок 4.1 – Схема предоконечного каскада
Выбираем напряжение источника смещения Есм=3 В и производим расчёт номиналов элементов схемы на рис.4.1 по формулам:
R2=430 Ом, R1=1.8 кОм (Pr1,2<0.125 Вт); Ср1=10 нФ,
Lбл1=1 мкГн, Lбл2=2.2 мкГн.
5. Расчёт умножителя на 2
Рассчитаем мощность второй гармоники (n=2) коллекторного тока, принимая hк=0.8:
где PвыхКС – мощность на выходе колебательной системы (КС) данного каскада.
В соответствии с требованиями, изложенными в п.3, выбираем транзистор 2Т951В со следующими параметрами:
выходная мощность Pвыхі2 Вт;
сопротивление насыщения rнас=10 Ом;
максимальное напряжение коллектор-эмиттер Uкэдоп=65 В;
максимальный постоянный ток коллектора Iкодоп=0.5 А;
напряжение источника коллекторного питания Е`к=28 В;
средний статический коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ bo=150;
эквивалентная ёмкость база-коллектор Ск=11 пФ;
барьерная ёмкость Сэ=80 пФ;
индуктивности выводов Lб=4 нГн, Lэ=4.7 нГн;
сопротивление материала базы rб=2 Ом.
Расчёт умножителя проводим аналогично расчёту усилителя мощности (см. п.3) при оптимальном угле отсечки для 2-й гармоники q=120/n=60°. При этом a0=0.218, a1=0.391, a2=0.276, g1=0.196, g0=0.109.
Отличие расчёта состоит в том, что в умножителе расчёт выходной цепи и коэффициента усиления по мощности проводится по n-й гармонике.
Проведя расчёт коллекторной цепи по формулам (3.2)-(3.10), получим следующие параметры (Ек=28 В, q=60°, f=16.67 МГц):
Umк=26.8 В; Iкn=33 мА, Iк1=47 мА;
Iко=26 мА<Iкодоп=0.5 А; Iк.макс=120 мА< Iкодоп=0.5 А;
Pоном=0.73 Вт; h=0.606; Rэк.ном=812 Ом.
Проведя расчёт входной цепи по формулам (3.11)-(3.32), получим следующие параметры:
Rд=865 Ом; c=4.78; Iб=56 мА; Iбо=0.174 мА; Iэо=26 мА;
rэ=1.56 Ом; Еб= -2.28 В; rвх=14.7 Ом, Хвх= -95 Ом; Rвхэк=630 Ом;
Свхэк=98 пФ; Свыхэк=20 пФ; Pвх=23 мВт; Кр=Pnном/Рвх=19.3.
КС выполним в виде П-образного контура (см.рис.5.1). Причём схема приведённого контура будет такая же, как в п.3 (см.рис. 3.8).
Рисунок 5.1 – Схема П-образного контура
Данные для расчёта КС: f=33.33 МГц, Rэк=812 Ом, Свыхэк=20 пФ, СвхПОК=486 пФ, RвхПОК=44 Ом, где последние 2 параметра – соответственно входные ёмкость и сопротивление предоконечного каскада.
Задаёмся величиной r=250 Ом. По формулам (3.40)-(3.44) определяем следующие параметры:
L0=1.194 мкГн; L>0.905 мкГн, выбираем L=0.91 мкГн; С0=81 пФ;
С1=26 пФ; С2=37 пФ.
Параллельное соединение СвхОК и L1 на частоте несущей f эквивалентно ёмкости номиналом С2. Определяем L1:
Рисунок 5.2 – Схема П-образного контура с подстроечными элементами
Схема умножителя приведена на рис.5.3.
Рисунок 5.3 – Схема умножителя на 2
Расчёт элементов схемы на рис.5.3 проведем по формулам:
Полученные параметры: С1=Ср=2 нФ, R1=13 кОм, Lбл1=20 мкГн, Lбл2=0.16 мГн.
6. Расчёт кварцевого автогенератора
Данный кварцевый генератор (КГ) предназначен для формирования частоты f=16670 кГц. КГ представляет собой ёмкостную трёхточку, где кварцевый резонатор заменяет индуктивность. Достоинства данной схемы: схема имеет меньшую склонность к паразитной генерации на частотах выше рабочей; схема построена без индуктивностей.
Выбор транзистора АГ. В АГ следует применять маломощный транзистор с граничной частотой много больше рабочей. В этом случае можно не учитывать инерционные свойства транзистора, в этом случае упрощается расчёт АГ, уменьшается нестабильность частоты, связанная с нестабильностью фазового угла крутизны.
Рисунок 6.1 – Схема автогенератора по ёмкостной трёхточке
Используя [5,6], выбираем маломощный транзистор КТ371А со следующими параметрами:
максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер Uкэдоп=15 В;
средний статический коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ bo=120;
сопротивление материала базы rб=10 Ом;
максимальная мощность рассеяния на коллекторе Pкдоп=0.1 Вт.
Выбираем кварцевый резонатор РГ-27: fкв=16.67 МГц, Pкв.доп=2 мВт, rкв=2 Ом.
Нижеприведённая методика расчёта АГ взята из [3].
Расчёт по постоянному току.
Задаём Iко=7 мА, Екэ=10 В, Еэ=2 В, откуда
R3=Еэ/Iко=286 Ом; (4.1)
Определяем ток базы:
Iбо=Iко/bo=58 мкА. (4.3)
Задаём ток делителя:
Iдел=15ЧIбо=875 мкА, (4.4)
Rдел=R1+R2=Еп/Iдел=13.7 кОм. (4.5)
R2=Еб/Iдел=3.09 кОм; (4.7)
R1=Rдел-R2=10.6 кОм. (4.8)
Расчёт по переменному току.
Определяем сопротивление эмиттерного перехода:
rэ=0.026/Iко=3.71 Ом. (4.9)
Определяем крутизну транзистора:
S=bo/(rб+boЧrэ)=0.263 См. (4.10)
Задаём коэффициент регенерации Gр=5.115 и определяем сопротивление управления:
Задаём отношение Кос`=C3/C2Ј1 – Кос`=1 и вычисляем
Ёмкость блокировочного конденсатора определим из формулы:
Дроссель Lк рассчитаем по формуле:
Дроссель Lб необходим, если не выполняется условие
R1||R2і30ЧX2 (2.39 кОм>187 Ом).(4.17)
Энергетический расчёт АГ.
Определяем коэффициент Берга g1(q)=1/Gр=1/5.115=0.196, находим соответстующий этому значению q=60° и коэффициенты a1(q)=0.391 и a0(q)=0.218 для стационарного режима.
Вычисляем амплитуду импульса коллекторного тока:
Imк=Iко/aо(q)=32 мА<Imкдоп=40 мА.(4.18)
Определяем амплитуду первой гармоники коллекторного тока:
Рассчитываем амплитуду напряжения на базе:
Umб=Iк1ЧRу=0.244 В. 4.20)
Вычисляем модуль коэффициента ОС:
Находим амплитуду напряжения на коллекторе:
Umк=Umб/|Кос|=0.24/0.993=0.239 В < Еп=12 В(4.22)
(условие недонапряжённого режима).
Определим мощность, потребляемую от источника коллекторной цепью:
Мощность, рассеиваемая кварцевым резонатором:
Pкв=0.5ЧrквЧ(Umб/X2)2=1.53 мВтЈPквдоп=2 мВт.(4.24)
Мощность, рассеиваемая транзистором
Pк=Po-Pкв=68 мВт<Pкдоп=100 мВт.(4.25)
Оцениваем величину допустимого сопротивления нагрузки из условия, что нагрузка будет потреблять мощность в 10 раз меньше мощности рассеиваемой кварцевым резонатором:
Для уменьшения влияния нагрузки и повышения стабильности частоты целесообразно включение на выходе АГ эмиттерного повторителя (ЭП) (см.рис.6.2).
Рисунок 6.2 – Принципиальная схема эмиттерного повторителя на выходе АГ
По справочникам [5,6] выбираем транзистор ЭП – КТ373Б со следующими параметрами: fт=300 МГц, rб=38 Ом, bo=250, Iкmax=50 мА, Iкmaxи=200 мА, UкэRmax=25 В, Pкmax=150 мВт.
Рассчитываем ЭП аналогично п.3.3. В результате расчёта получаем следующие параметры: Ек=12 В, Uко=6 В, Rб1=15.5 кОм, Rб2=20 кОм.
В результате проделанной работы получили структурную и принципиальную схемы АМ передатчика, рассчитанного на несущую длину волны l=9 м (f=33.33 МГц), мощностью несущей в антенне 30 Вт.
Модуляция производится путем изменения смещения модулируемого оконечного каскада.
Для питания передатчика требуется 3 источника питания: +28 В – для питания УМК и МК, +12 В – для питания ЭП, умножителя У и АГ, +3 В – для подачи начального смещения на базу транзисторов УМК и МК.
Чертёж контурной катушки ВКС приведён на РТФ КП.723500.001.
Использование транзисторов при конструировании передатчика позволит получить оптимальные массо-габаритные характеристики.
Разработанный передатчик можно использовать в качестве связного.
Список использованных источников
1 Шумилин М.С, Козырев В.Б., Власов В.А. Проектирование транзисторных каскадов передатчиков. Уч.пособие для техникумов. – М.: Радио и связь, 1987. – 320 с.
2 Проектирование радиопередающих устройств: Уч.пособие для ВУЗов/В.В. Шахгильдян, В.А. Власов, В.Б. Козырев и др.,М.: Радио и связь, 1993. – 512 с.
3 Проектирование радиопередающих устройств на транзисторах: Методические указания к курсовому проектированию/Г.Д. Казанцев, А.Д. Бордус, А.Г. Ильин, Ротапринт ТУСУР, 1987. – 79 с.
4 Радиоприёмные устройства под ред. Жуковского: Уч.издание/ Ю.Т. Давыдов, Ю.С. Данич, А.П. Жуковский и др., М.: Высш.шк., 1989. – 342 с.
5 Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник/ В.А. Аронов, А.В. Баюков, А.А. Зайцев и др., М.: Энергоиздат, 1982. – 904 с.
6 Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник/ К.М. Брежнева, Е.И. Гантман, Т.И. Давыдова и др., М.: Радио и связь, 1981. – 656 с.
Поможем написать работу на аналогичную тему
Похожие рефераты:Расчет количества информации в битах на степень свободы сигнала при равномерном законе распределения плотности. Построение электрической принципиальной схемы генератора с внешним возбуждением. Амплитуда коллекторного напряжения и цепь выходного каскада.
Расчёт и обоснование требуемых характеристик источника питания. Определение и выбор всех элементов схемы (номиналов и мощностей). Вычисление параметров конденсаторов, резисторов, транзисторов. Расчёт КПД схемы при синусоидальном входном сигнале.
Расчёт параметров усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе. Схема транзисторного усилителя низкой частоты. Выбор биполярного транзистора, расчет элементов схемы. Аналитический расчёт параметров усилительного каскада на полевом транзисторе.
Расчёт передатчика и цепи согласования. Расчёт структурной схемы и каскада радиопередатчика, величин элементов и энергетических показателей кварцевого автогенератора. Нестабильность кварцевого автогенератора и проектирование радиопередающих устройств.
Структурная схема передатчика. Электрические расчеты режимов и элементов оконечного каскада. Расчет параметров штыревой антенны. Конструкторский расчет элементов оконечной ступени. Назначение всех элементов принципиальной схемы радиопередатчика.
Расчет коллекторного сопротивления транзистора. Расчет выходного, входного и промежуточного каскада усилителя. Входные и выходные характеристики транзистора. Расчет разделительных конденсаторов, тока потребления и мощности, рассеиваемой на резисторах.
Обоснование функциональной схемы передатчика. Расчет и определение транзистора для оконечной ступени передатчика. Расчет оконечного каскада, входного сопротивления антенны, цепи согласования. Определение коллекторной цепи генератора в критическом режиме.
Использование радиопередатчика с частотной модуляцией для связи между группами людей и обоснование его структурной схемы: один генератор, умножительные и усилительные каскады. Расчет электронного режима транзистора и выбор типа кварцевого резонатора.
Расчет оконечного каскада передатчика и цепи согласования с антенной. Составление структурной схемы РПУ. Выбор структурной схемы передатчика и транзистора для выходной ступени передатчика. Расчет коллекторной и базовой цепи, антенны, параметров катушек.
Сущность и назначение радиопередающего устройства, порядок составления и расчета его структурной схемы. Расчет режима оконечного каскада и основных параметров антенны. Методика конструктивного расчета катушек индуктивности оконечного каскада передатчика.
Методика расчета двухкаскадного трансформаторного усилителя мощности, выполненного на кремниевых транзисторах структуры p-n-p, и его КПД. Особенности составления эквивалентной схемы усилителя для области средних частот с учетом структуры транзисторов.
Определение параметров работы двухкаскадного усилителя тока с непосредственной связью, выполненного на германиевых (Ge) транзисторах структуры n-p-n по заданным показателям. Основные расчеты показателей преобразования напряжения, коэффициентов усиления.
Порядок составления блок-схемы передатчика, работающего на 120 МГц. Выбор и обоснование транзистора для работы в выходном каскаде. Вычисление модулятора и коллекторной цепи. Расчет параметров возбудителя, умножителя цепи и предоконечного каскада.
Связные передатчики коротковолнового диапазона в режиме однополосной модуляции. Структурная схема современного диапазонного передатчика с однополосной модуляцией. Фильтрация гармоник тока коллектора в широкополосных передатчиках с помощью фильтров.
Параметры расчета предварительного и оконечного каскадов передатчика на биполярных транзисторах. Расчёт оконечного каскада. Параметры транзистора 2Т903А. Результат расчёта входной цепи. Результаты расчёта коллекторной цепи. Расчёт предоконечного каскада.
Составление эквивалентной схемы усилителя для области средних частот, расчет его параметров. Определение сопротивления резистора, мощности, рассеиваемой им для выбора транзистора. Вычисление полного тока, потребляемого усилителем и к.п.д. усилителя.
Использование синхронных сетей радиовещания для повышения эффективности работы передатчиков и улучшения слышимости РВ передач на низких и средних частотах. Разработка структурной схемы передатчика. Выбор усилительного элемента в выходном каскаде.
Расчет параметров усилителя, на вход которого подается напряжение сигнала с заданной амплитудой от источника с известным внутренним сопротивлением. Определение КПД усилителя с общей параллельной отрицательной обратной связью по току и полного тока.
Проектирование транзисторных усилителей. Формы применения местных и общих отрицательных обратных связей при улучшении параметров усилителя. Анализ ёмкости переходных и блокировочных конденсаторов. Сущность входного сопротивления предварительного каскада.
Структурная схема передатчика. Краткое описание структурной схемы. Трактовка схемных решений для автогенератора. Подробное обоснование роли элементов схемы. Расчет режима оконечного каскада РПУ и коллекторной цепи выходного каскада. Параметры антенны.